ZnGeP2 — nieliniowa optyka w podczerwieni nasyconej
Opis produktu
Ze względu na te unikalne właściwości jest znany jako jeden z najbardziej obiecujących materiałów do nieliniowych zastosowań optycznych. ZnGeP2 może generować ciągły przestrajalny laser o średnicy 3–5 μm, przechodzący przez technologię optycznej oscylacji parametrycznej (OPO). Lasery pracujące w oknie transmisji atmosferycznej wynoszącym 3–5 μm mają ogromne znaczenie w wielu zastosowaniach, takich jak liczniki podczerwieni, monitorowanie chemiczne, aparatura medyczna i teledetekcja.
Możemy zaoferować ZnGeP2 o wysokiej jakości optycznej i wyjątkowo niskim współczynniku absorpcji α < 0,05 cm-1 (przy długości fali pompy 2,0-2,1 µm), który można wykorzystać do generowania przestrajalnego lasera w średniej podczerwieni z wysoką wydajnością w procesach OPO lub OPA.
Nasza pojemność
Opracowano technologię dynamicznego pola temperaturowego i zastosowano ją do syntezy polikrystalicznego ZnGeP2. Dzięki tej technologii w jednym cyklu zsyntetyzowano ponad 500 g polikrystalicznego ZnGeP2 o wysokiej czystości i ogromnych ziarnach.
Metoda poziomego gradientowego zamrażania w połączeniu z technologią kierunkowego przewężania (która może skutecznie obniżyć gęstość dyslokacji) została z powodzeniem zastosowana do wzrostu wysokiej jakości ZnGeP2.
Wysokiej jakości kilogramowy ZnGeP2 o największej na świecie średnicy (Φ55 mm) został z sukcesem wyhodowany metodą Vertical Gradient Freeze.
Chropowatość powierzchni i płaskość urządzeń kryształowych, mniejsze niż odpowiednio 5Å i 1/8λ, uzyskano dzięki naszej technologii precyzyjnej obróbki powierzchni pułapkowej.
Końcowe odchylenie kątowe urządzeń kryształowych wynosi mniej niż 0,1 stopnia, co wynika z zastosowania precyzyjnej orientacji i precyzyjnych technik cięcia.
Urządzenia o doskonałej wydajności zostały osiągnięte dzięki wysokiej jakości kryształów i zaawansowanej technologii przetwarzania kryształów (przestrajalny laser w średniej podczerwieni o średnicy 3–5 μm został wygenerowany z wydajnością konwersji większą niż 56% przy pompowaniu światłem o długości 2 μm źródło).
Nasza grupa badawcza, poprzez ciągłe poszukiwania i innowacje techniczne, z powodzeniem opanowała technologię syntezy polikrystalicznego ZnGeP2 o wysokiej czystości, technologię wzrostu dużych rozmiarów i wysokiej jakości ZnGeP2 oraz orientację kryształów i technologię przetwarzania o wysokiej precyzji; może dostarczyć urządzenia ZnGeP2 i oryginalne wyhodowane kryształy na skalę masową o wysokiej jednorodności, niskim współczynniku absorpcji, dobrej stabilności i wysokiej wydajności konwersji. Jednocześnie stworzyliśmy cały zestaw platform do testowania wydajności kryształów, dzięki czemu jesteśmy w stanie świadczyć klientom usługi testowania wydajności kryształów.
Aplikacje
● Druga, trzecia i czwarta harmoniczna generacja lasera CO2
● Optyczna generacja parametryczna z pompowaniem przy długości fali 2,0 µm
● Druga harmoniczna generacja lasera CO
● Wytwarzanie spójnego promieniowania w zakresie submilimetrowym od 70,0 µm do 1000 µm
● Generowanie połączonych częstotliwości promieniowania laserów CO2 i CO oraz innych laserów pracujących w obszarze przezroczystości kryształów.
Podstawowe właściwości
| Chemiczny | ZnGeP2 |
| Symetria i klasa kryształu | tetragonalny, -42m |
| Parametry sieci | a = 5,467 Å c = 12,736 Å |
| Gęstość | 4,162 g/cm3 |
| Twardość Mohsa | 5.5 |
| Klasa optyczna | Pozytywny jednoosiowy |
| Przydatny zasięg transmisji | 2,0 um - 10,0 um |
| Przewodność cieplna @ T= 293 K | 35 W/m∙K (⊥c) 36 W/m∙K ( ∥ c) |
| Rozszerzalność cieplna @ T = 293 K do 573 K | 17,5 x 106 K-1 (⊥c) 15,9 x 106 K-1 ( ∥ c) |
Parametry techniczne
| Tolerancja średnicy | +0/-0,1 mm |
| Tolerancja długości | ±0,1 mm |
| Tolerancja orientacji | <30 min łuku |
| Jakość powierzchni | 20-10 SD |
| Płaskość | <λ/4@632.8 nm |
| Równoległość | <30 sekund łukowych |
| Prostopadłość | <5 łuku min |
| Ścięcie | <0,1 mm x 45° |
| Zakres przejrzystości | 0,75 - 12,0 µm |
| Współczynniki nieliniowe | d36 = 68,9 pm/V (przy 10,6 μm) d36 = 75,0 pm/V (przy 9,6 μm) |
| Próg obrażeń | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
